သတ္တုသွန်းလုပ်ခြင်းအတွက် အပြည့်ထည့်ခြင်း

သံမဏိကို ရောနှောပြီး ပုံမှန်ဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ခြင်း။

လောင်စာ

အပူကုသခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် မျှခြေအခြေအနေမှ သွေဖည်သောဖွဲ့စည်းပုံဖြင့် သင့်လျော်သောအပူချိန်၊

အချိန်အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ ကာရံထားပြီး မျှခြေအခြေအနေနှင့် နီးစပ်သောဖွဲ့စည်းပုံရရှိရန် ဖြည်းညှင်းစွာ အအေးခံခြင်းကို annealing ဟုခေါ်သည်။

ရည်ရွယ်ချက်

ကြမ်းသော columnar crystals နှင့် equiaxed crystals များကို ဖယ်ထုတ်ပြီး၊ အစေ့များကို သန့်စင်ပေးသည်၊ မာကျောမှုကို လျှော့ချသည်၊ ဖြတ်တောက်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပြီး ဖွဲ့စည်းပုံကို တူညီအောင် ပြုလုပ်ပါ။

အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း။

အပူအပူချိန်ပေါ်မူတည်၍ အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲနိုင်သော သံမဏိ annealing လုပ်ငန်းစဉ်များ အမျိုးအစားများစွာရှိပါသည်။

1. ပြီးပြည့်စုံသော annealing၊ မပြည့်စုံသော annealing အပါအဝင် Phase transformation recrystallization annealing၊

spheroidizing annealing နှင့် diffusion annealing ။

2. ပြန်လည်ပုံသွင်းခြင်းပြုလုပ်ခြင်း နှင့် ဖိစီးမှုကို သက်သာစေခြင်း အပါအဝင် အရေးပါသော အပူချိန်အောက်တွင် နစ်မြုပ်ခြင်း။

ပုံမှန်ဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ခြင်းကို အထူးပြုလုပ်ထားသော ပုံစံတစ်မျိုးအဖြစ် မှတ်ယူနိုင်ပြီး အအေးခံနည်းမှာ လေအေးပေးခြင်းဖြစ်သည်။

1 Full annealing

Full annealing သည် သံမဏိကို Ac3 အပူချိန်အထက် 30-50 ℃အထိ အပူပေးသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ပြီး လုံလောက်သောအချိန်အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ အပူချိန်ထိန်းထားကာ ဖွဲ့စည်းပုံကို လုံးဝ austenitized ဖြစ်စေကာ နီးစပ်ရာ အပူကုသမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ရရှိရန် မီးဖိုဖြင့် ဖြည်းညှင်းစွာ အေးစေပါသည်။ မျှခြေဖွဲ့စည်းပုံ။

ရည်ရွယ်ချက်မှာ အစေ့အဆန်များကို သန့်စင်ရန်၊ ဖွဲ့စည်းပုံကို တစ်သမတ်တည်းဖြစ်စေရန်၊ အတွင်းစိတ်ဖိစီးမှုနှင့် ပူသောလုပ်ဆောင်မှုဆိုင်ရာ ချို့ယွင်းချက်များကို ဖယ်ရှားပစ်ရန်၊ မာကျောမှုကို လျှော့ချရန်နှင့် ဖြတ်တောက်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အေးသောပလပ်စတစ်ပုံပျက်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်ဖြစ်သည်။

ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသည် ကောက်နှံများကို သန့်စင်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း၊ အသွင်သဏ္ဍာန်တူညီစေပြီး Widmanstätten ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ကြိုးဝိုင်းဖွဲ့စည်းပုံတို့ကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။ ထုလုပ်ခြင်းနှင့် လှိမ့်ခြင်း အစိတ်အပိုင်းများအတွက်၊ workpiece ကို ပူသောပုံစံအတုလုပ်ပြီး လှိမ့်ပြီးနောက် အပြည့်အဝ annealing ကို စီစဉ်ပြီး ဖြတ်တောက်ခြင်းမပြုမီ- ဂဟေဆက်ထားသော အစိတ်အပိုင်းများ သို့မဟုတ် သွန်းလုပ်ခြင်းအတွက်၊ ယေဘုယျအားဖြင့် ၎င်းကို ဂဟေဆော်ခြင်းနှင့် လောင်းခြင်း (သို့မဟုတ် ပျံ့နှံ့ပြီးနောက်) ကို စီစဉ်ပေးပါသည်။

အပူအပူချိန်နှင့်အချိန် အပူချိန်သည် ယေဘူယျအားဖြင့် 20-30 ℃ Ac3 အထက်ဖြစ်သည်။ annealing hold time သည် workpiece ကို လောင်ကျွမ်းရန် လိုအပ်သည့် အချိန်ပေါ်တွင်သာ မူတည်သည် ( ဆိုလိုသည်မှာ workpiece ၏ core သည် လိုအပ်သော အပူချိန်သို့ ရောက်ရှိသည် ) ၊ but the structure transformation အတွက် လိုအပ်သော အချိန်ပေါ်တွင်လည်း မူတည်ပါသည်။ အပြည့်အဝ annealing ကိုင်ထားချိန်သည် သံမဏိ၏ ဓာတုဖွဲ့စည်းပုံ၊ လုပ်ငန်းခွင်၏ ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် အရွယ်အစား၊ အပူပေးကိရိယာ အမျိုးအစား၊ မီးဖိုတင်သည့် ပမာဏနှင့် တင်ဆောင်သည့် နည်းလမ်းတို့နှင့် သက်ဆိုင်ပါသည်။ များသောအားဖြင့် workpiece ၏ထိရောက်သောအထူပေါ် မူတည်၍ အပူအချိန်ကိုတွက်ချက်သည်။

Cooling method Furnace cooling၊ကာဗွန်သံမဏိသွန်းလုပ်ခြင်း။<200 ℃/နာရီ၊ နိမ့်သည်။အလွိုင်းသံမဏိသွန်းလုပ်ခြင်း။<100 ℃/h၊ မြင့်မားသောအလွိုင်းသံမဏိ <50 ℃/h။ မီးဖိုအပူချိန် <600 ℃။
အဖွဲ့အစည်း-Lamellar pearlite

လောင်းချပြီးနောက် ကာဗွန်သံမဏိသွန်းလုပ်ခြင်းနှင့် မာကျောခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်

ကာဗွန်ပါဝင်မှု (%)	Annealing အပူချိန်	အပူထိန်းသိမ်းခြင်း။		အအေးခံနည်း	မာကျောမှု (HB)
		တံတိုင်းအထူ / မီလီမီတာ	အချိန်/နာရီ(များ)
၀.၁၀-၀.၂၀	၉၁၀-၈၈၀	＜၃၀	1	မီးဖိုသည် 620 ℃ ——လေအေးပေးသည်။	၁၁၅-၁၄၃
၀.၂၀-၀.၃၀	၈၈၀-၈၅၀	＜၃၀	1	မီးဖိုသည် 620 ℃ ——လေအေးပေးသည်။	၁၃၃-၁၅၆
၀.၃၀-၀.၄၀	၈၅၀-၈၂၀	＞၃၀	30 မီလီမီတာတိုးတိုင်း 1 နာရီထည့်ပါ။	မီးဖိုသည် 620 ℃ ——လေအေးပေးသည်။	၁၄၃-၁၇၈
0.40-0.50	၈၂၀-၈၀၀	＞၃၀	30 မီလီမီတာတိုးတိုင်း 1 နာရီထည့်ပါ။	မီးဖိုသည် 620 ℃ ——လေအေးပေးသည်။	၁၅၆-၂၁၇
0.50-0.60	၈၀၀-၇၈၀	＞၃၀	30 မီလီမီတာတိုးတိုင်း 1 နာရီထည့်ပါ။	မီးဖိုသည် 620 ℃ ——လေအေးပေးသည်။	၁၈၇-၂၃၀